מספר מוצר של יצרן:
IRFDC20PBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFDC20PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 320mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
מלאי:
5886 יחידות חדשות מק originales במלאי
12908571
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFDC20PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
320mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.4Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
350 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
4-HVMDIP
חבילה / מארז
4-DIP (0.300", 7.62mm)
מספר מוצר בסיסי
IRFDC20
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRFDC20PBF
חבילה סטנדרטית
100
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFK120N25P
MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA
IRF9630SPBF
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
IRFR214TRRPBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
