מספר מוצר של יצרן:
IRFBG30PBF-BE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFBG30PBF-BE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
1589 יחידות חדשות מק originales במלאי
12972684
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFBG30PBF-BE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
80 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
980 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRFBG30
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-IRFBG30PBF-BE3
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
GPI65005DF
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
PJD2NA90_L2_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
PJF12NA60_T0_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
