מספר מוצר של יצרן:
GPI65005DF
Product Overview
יצרן:
GaNPower
DiGi Electronics מספר חלק:
GPI65005DF-DG
תיאור:
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 5A Surface Mount Die
מלאי:
167 יחידות חדשות מק originales במלאי
12972698
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
GPI65005DF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
GaNPower
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
GaNFET (Gallium Nitride)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.4V @ 1.75mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2.6 nC @ 6 V
VGS (מקס')
+7.5V, -12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
45 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
Die
חבילה / מארז
Die
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
4025-GPI65005DFTR
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
Not applicable
רמת רגישות ללחות (MSL)
Vendor Undefined
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PJD2NA90_L2_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
PJF12NA60_T0_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
FDP075N15A-F032
MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
