מספר מוצר של יצרן:
IRFBE20S
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFBE20S-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 1.8A (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12881247
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFBE20S מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
38 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
530 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IRFBE20
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRFBE20S
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STB7NK80ZT4
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
4410
DiGi מספר חלק
STB7NK80ZT4-DG
מחיר ליחידה
1.21
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF9640S
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
STU4N62K3
MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
STL60N10F7
MOSFET N-CH 100V 46A POWERFLAT