IRF640SPBF

מספר מוצר של יצרן:

IRF640SPBF

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF640SPBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

תיאור מפורט:

N-Channel 200 V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

מלאי:

309 יחידות חדשות מק originales במלאי

12881336

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF640SPBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

Tube

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

200 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

18A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

70 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1300 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

3.1W (Ta), 130W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

TO-263 (D2PAK)

חבילה / מארז

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

מספר מוצר בסיסי

IRF640

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

IRF640S(L)/SIHF640S(L)

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

IRFI634G

MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220-3

stmicroelectronics

STL75N3LLZH5

MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT

stmicroelectronics

STP75N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 75A TO220

nexperia

PHT6NQ10T,135

MOSFET N-CH 100V 3A SOT223