IRFBC40STRLPBF
מספר מוצר של יצרן:

IRFBC40STRLPBF

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRFBC40STRLPBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

מלאי:

800 יחידות חדשות מק originales במלאי
12893390
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRFBC40STRLPBF מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
60 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1300 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IRFBC40

מידע נוסף

שמות אחרים
IRFBC40STRLPBFTR
IRFBC40STRLPBFDKR
IRFBC40STRLPBF-DG
IRFBC40STRLPBFCT
חבילה סטנדרטית
800

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
taiwan-semiconductor

TSM220NB06CR RLG

MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN

vishay-siliconix

IRF9610SPBF

MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK

vishay-siliconix

IRF510STRR

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

vishay-siliconix

IRF840LCSTRRPBF

MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB