IRF840LCSTRRPBF
מספר מוצר של יצרן:

IRF840LCSTRRPBF

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF840LCSTRRPBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

מלאי:

12893444
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRF840LCSTRRPBF מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
850mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
39 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1100 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IRF840

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
800

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
STB11NK50ZT4
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
872
DiGi מספר חלק
STB11NK50ZT4-DG
מחיר ליחידה
1.34
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
diodes

DMP3007SFG-7

MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333

vishay-siliconix

IRC830PBF

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-5

vishay-siliconix

IRFBC30A

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB

taiwan-semiconductor

TSM120N10PQ56 RLG

MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN