IRC830PBF
מספר מוצר של יצרן:

IRC830PBF

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRC830PBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-5
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220-5

מלאי:

12893568
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRC830PBF מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
38 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
610 pF @ 25 V
תכונת FET
Current Sensing
פיזור כוח (מרבי)
74W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-5
חבילה / מארז
TO-220-5
מספר מוצר בסיסי
IRC830

מידע נוסף

שמות אחרים
*IRC830PBF
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

IRFBC30A

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB

taiwan-semiconductor

TSM120N10PQ56 RLG

MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM038N04LCP ROG

MOSFET N-CHANNEL 40V 135A TO252

taiwan-semiconductor

TSM9ND50CI

MOSFET N-CH 500V 9A ITO220