מספר מוצר של יצרן:
IRFBC30ASPBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFBC30ASPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
2169 יחידות חדשות מק originales במלאי
12948570
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFBC30ASPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
510 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
74W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IRFBC30
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRFBC30ASPBF
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP65R190CFD7AAKSA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
IPDD60R105CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 31A HDSOP-10
IPB65R190CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3