מספר מוצר של יצרן:
IPP65R190CFD7AAKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP65R190CFD7AAKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 77W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
12948578
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP65R190CFD7AAKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
14A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
190mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 320µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
28 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1291 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
77W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP65R190
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPP65R190CFD7AAKSA1
SP005399500
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPDD60R105CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 31A HDSOP-10
IPB65R190CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
IPDD60R045CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 61A HDSOP-10