מספר מוצר של יצרן:
IRFB9N60APBF-BE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFB9N60APBF-BE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
1024 יחידות חדשות מק originales במלאי
12978089
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFB9N60APBF-BE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9.2A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
49 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
170W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRFB9
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-IRFB9N60APBF-BE3
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
CP775-CWDM3011P-CT
MOSFET P-CH 30V 11A DIE
SIHB15N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK
SQJQ142E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
