CP775-CWDM3011P-CT
מספר מוצר של יצרן:

CP775-CWDM3011P-CT

Product Overview

יצרן:

Central Semiconductor Corp

DiGi Electronics מספר חלק:

CP775-CWDM3011P-CT-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 30V 11A DIE
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 11A (Ta) Surface Mount Die

מלאי:

12978095
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

CP775-CWDM3011P-CT מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Central Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
20mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
80 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3100 pF @ 8 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
Die
חבילה / מארז
Die

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
1514-CP775-CWDM3011P-CT
חבילה סטנדרטית
100

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SIHB15N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK

vishay-siliconix

SQJQ142E-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SI1308EDL-T1-BE3

MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3

central-semiconductor

CP805-CXDM4060P-WN

MOSFET P-CH 40V 6.4A DIE