IRFB18N50KPBF
מספר מוצר של יצרן:

IRFB18N50KPBF

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRFB18N50KPBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 17A (Tc) 220W (Tc) Through Hole TO-220AB

מלאי:

893 יחידות חדשות מק originales במלאי
12893382
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRFB18N50KPBF מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
17A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
290mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
120 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2830 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
220W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRFB18

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
*IRFB18N50KPBF
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

IRFBC40STRLPBF

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

taiwan-semiconductor

TSM220NB06CR RLG

MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN

vishay-siliconix

IRF9610SPBF

MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK

vishay-siliconix

IRF510STRR

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK