מספר מוצר של יצרן:
IRF9610PBF-BE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF9610PBF-BE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
תיאור מפורט:
P-Channel 200 V 1.8A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
842 יחידות חדשות מק originales במלאי
12954532
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF9610PBF-BE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.8A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
170 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
20W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRF9610
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
742-IRF9610PBF-BE3
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK10A50W,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
FDS6676AS
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
BSC005N03LS5IATMA1
TRENCH <= 40V
