מספר מוצר של יצרן:
TK10A50W,S5X
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK10A50W,S5X-DG
תיאור:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 9.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
מלאי:
138 יחידות חדשות מק originales במלאי
12954538
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK10A50W,S5X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9.7A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
380mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.7V @ 500µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
700 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220SIS
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
TK10A50
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK10A50W,S5X(M
264-TK10A50WS5X
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDS6676AS
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
BSC005N03LS5IATMA1
TRENCH <= 40V
SI4850BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
