IRF830S

מספר מוצר של יצרן:

IRF830S

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF830S-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

תיאור מפורט:

N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12885870

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF830S מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

500 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

4.5A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

1.5Ohm @ 2.7A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

38 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

610 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

3.1W (Ta), 74W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

TO-263 (D2PAK)

חבילה / מארז

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

מספר מוצר בסיסי

IRF830

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

*IRF830S

חבילה סטנדרטית

50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

RoHS non-compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

IRF830SPBF

יצרן

Vishay Siliconix

כמות זמינה

1095

DiGi מספר חלק

IRF830SPBF-DG

מחיר ליחידה

0.84

סוג משאב

Direct

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

IRF640STRRPBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO263

vishay-siliconix

IRFDC20

MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP

vishay-siliconix

IRF610

MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB

vishay-siliconix

IRF610L

MOSFET N-CH 200V 3.3A TO262