IRF830L

מספר מוצר של יצרן:

IRF830L

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF830L-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 500V 4.5A I2PAK

תיאור מפורט:

N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Through Hole I2PAK

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12910897

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF830L מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

500 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

4.5A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

1.5Ohm @ 2.7A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

38 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

610 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

3.1W (Ta), 74W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

I2PAK

חבילה / מארז

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

מספר מוצר בסיסי

IRF830

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

*IRF830L

חבילה סטנדרטית

50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

RoHS non-compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

IRF830LPBF

יצרן

Vishay Siliconix

כמות זמינה

0

DiGi מספר חלק

IRF830LPBF-DG

מחיר ליחידה

0.99

סוג משאב

Parametric Equivalent

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

IRF634

MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB

vishay-siliconix

IRFZ24L

MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3

vishay-siliconix

IRLZ14STRLPBF

MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK

vishay-siliconix

IRL630STRR

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK