מספר מוצר של יצרן:
IRF830LPBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF830LPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO262-3
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Through Hole TO-262-3
מלאי:
12908858
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF830LPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
38 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
610 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262-3
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IRF830
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRF830LPBF
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXFP12N50P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
300
DiGi מספר חלק
IXFP12N50P-DG
מחיר ליחידה
1.71
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP11NK50Z
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
826
DiGi מספר חלק
STP11NK50Z-DG
מחיר ליחידה
1.27
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTP12N50P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
73
DiGi מספר חלק
IXTP12N50P-DG
מחיר ליחידה
1.64
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP11NM50N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
645
DiGi מספר חלק
STP11NM50N-DG
מחיר ליחידה
1.06
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTP6N50D2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
2275
DiGi מספר חלק
IXTP6N50D2-DG
מחיר ליחידה
4.59
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFH70N30Q3
MOSFET N-CH 300V 70A TO247AD
IRF510STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
IRFBC40LCS
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
