מספר מוצר של יצרן:
IRF830
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF830-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12868962
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF830 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
38 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
610 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
74W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRF830
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
IRF830IR
*IRF830
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF830PBF-BE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
3320
DiGi מספר חלק
IRF830PBF-BE3-DG
מחיר ליחידה
0.53
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
IRF830PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
9086
DiGi מספר חלק
IRF830PBF-DG
מחיר ליחידה
0.53
סוג משאב
Direct
מספר חלק
STP5NK52ZD
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1348
DiGi מספר חלק
STP5NK52ZD-DG
מחיר ליחידה
0.85
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FDP5N50NZ
יצרן
onsemi
כמות זמינה
3522
DiGi מספר חלק
FDP5N50NZ-DG
מחיר ליחידה
0.50
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF730A
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
IRFI630G
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
IRFB9N65A
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
