מספר מוצר של יצרן:
IRFI630G
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFI630G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 5.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12869010
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
R0Xw
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFI630G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
400mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
43 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
800 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
35W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
מספר מוצר בסיסי
IRFI630
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRFI630G
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RCX100N25
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
429
DiGi מספר חלק
RCX100N25-DG
מחיר ליחידה
0.86
סוג משאב
Direct
מספר חלק
RCX120N20
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
RCX120N20-DG
מחיר ליחידה
1.09
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRFI4227PBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
6294
DiGi מספר חלק
IRFI4227PBF-DG
מחיר ליחידה
1.30
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FQPF630
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
20715
DiGi מספר חלק
FQPF630-DG
מחיר ליחידה
0.62
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRFI630GPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1686
DiGi מספר חלק
IRFI630GPBF-DG
מחיר ליחידה
1.16
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFB9N65A
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
IRF540STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
BUK9237-55A/C1,118
MOSFET N-CH 55V 32A DPAK
