מספר מוצר של יצרן:
IRF630PBF-BE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF630PBF-BE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12945880
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF630PBF-BE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
43 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
800 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
74W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRF630
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-IRF630PBF-BE3
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF624PBF-BE3
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
IRL630PBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
TK210V65Z,LQ
MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN
