מספר מוצר של יצרן:
TK210V65Z,LQ
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK210V65Z,LQ-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 15A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
מלאי:
4633 יחידות חדשות מק originales במלאי
12945884
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK210V65Z,LQ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
DTMOSVI
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
15A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
210mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 610µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1370 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
130W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
4-DFN-EP (8x8)
חבילה / מארז
4-VSFN Exposed Pad
מספר מוצר בסיסי
TK210V65
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
264-TK210V65Z,LQDKR-DG
264-TK210V65Z,LQTR-DG
264-TK210V65ZLQTR
264-TK210V65Z,LQCT-DG
264-TK210V65Z,LQDKR
264-TK210V65Z,LQCT
264-TK210V65ZLQDKR
264-TK210V65Z,LQTR
TK210V65Z,LQ(S
264-TK210V65ZLQCT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFR1N60APBF-BE3
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
SI1411DH-T1-BE3
MOSFET P-CH 150V 420MA SC70-6
STP40NF10L
MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
