מספר מוצר של יצרן:
2N7002-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
2N7002-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount TO-236
מלאי:
6531 יחידות חדשות מק originales במלאי
12880498
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2N7002-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
115mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
50 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
200mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-236
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
2N7002
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2N7002-T1-GE3TR
2N7002-T1-GE3DKR
2N7002-T1-GE3CT
2N7002-T1-GE3-DG
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STL19N60DM2
MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
STFI10N65K3
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
STD80N3LL
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
