מספר מוצר של יצרן:
STFI10N65K3
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STFI10N65K3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
מלאי:
1499 יחידות חדשות מק originales במלאי
12880504
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STFI10N65K3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
SuperMESH3™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
42 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1180 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
35W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-281 (I2PAKFP)
חבילה / מארז
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
מספר מוצר בסיסי
STFI10N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-13578-5
-497-13578-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STD80N3LL
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
IRF620
MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB
STP80N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A TO220
