מספר מוצר של יצרן:
UF3SC120009K4S
Product Overview
יצרן:
Qorvo
DiGi Electronics מספר חלק:
UF3SC120009K4S-DG
תיאור:
SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 120A (Tc) 789W (Tc) Through Hole TO-247-4
מלאי:
1146 יחידות חדשות מק originales במלאי
12930659
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
UF3SC120009K4S מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Qorvo
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Cascode SiCJFET)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11mOhm @ 100A, 12V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6V @ 10mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
234 nC @ 15 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
8512 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
789W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-4
חבילה / מארז
TO-247-4
מספר מוצר בסיסי
UF3SC120009
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2312-UF3SC120009K4S
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
UF3C120080K4S
SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
UF3C120040K4S
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
FDME820NZT
MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET
