מספר מוצר של יצרן:
UF3C120040K4S
Product Overview
יצרן:
Qorvo
DiGi Electronics מספר חלק:
UF3C120040K4S-DG
תיאור:
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-4
מלאי:
471 יחידות חדשות מק originales במלאי
12930662
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
UF3C120040K4S מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Qorvo
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Cascode SiCJFET)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
65A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
45mOhm @ 40A, 12V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6V @ 10mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
43 nC @ 12 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1500 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
429W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-4
חבילה / מארז
TO-247-4
מספר מוצר בסיסי
UF3C120040
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2312-UF3C120040K4S
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDME820NZT
MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET
FDMS2D5N08C
MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
FQA9N90-F109
MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
