מספר מוצר של יצרן:
FQA9N90-F109
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQA9N90-F109-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 8.6A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3PN
מלאי:
12930668
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQA9N90-F109 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
72 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2700 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
240W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3PN
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
FQA9
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2832-FQA9N90-F109-488
2156-FQA9N90-F109-OS
FQA9N90_F109
ONSONSFQA9N90-F109
FQA9N90_F109-DG
2832-FQA9N90-F109
חבילה סטנדרטית
450
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
2SK1317-E
יצרן
Renesas Electronics Corporation
כמות זמינה
5608
DiGi מספר חלק
2SK1317-E-DG
מחיר ליחידה
3.29
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FCA16N60N
MOSFET N-CH 600V TO-3PN
NVMFS5C680NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN
FQPF6N90C
MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
