2SK1317-E
מספר מוצר של יצרן:

2SK1317-E

Product Overview

יצרן:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics מספר חלק:

2SK1317-E-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 1500 V 2.5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P

מלאי:

5608 יחידות חדשות מק originales במלאי
12858018
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

2SK1317-E מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Renesas Electronics Corporation
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12Ohm @ 2A, 15V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
990 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
2SK1317

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
2SK1317

מידע נוסף

שמות אחרים
-1161-2SK1317-E
חבילה סטנדרטית
30

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
onsemi

NDB6060L

MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

onsemi

NVMFS6H800NT1G

MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN

onsemi

NVB5860NT4G

MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3

onsemi

NVR5198NLT1G

MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3