מספר מוצר של יצרן:
NVMFS6H800NT1G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NVMFS6H800NT1G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 28A (Ta), 203A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
מלאי:
36 יחידות חדשות מק originales במלאי
12858029
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NVMFS6H800NT1G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
28A (Ta), 203A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 330µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
85 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5530 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN, 5 Leads
מספר מוצר בסיסי
NVMFS6
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
NVMFS6H800NT1GOSCT
NVMFS6H800NT1GOSDKR
NVMFS6H800NT1GOSTR
NVMFS6H800NT1G-DG
חבילה סטנדרטית
1,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NVB5860NT4G
MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3
NVR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
NTB18N06LG
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
