מספר מוצר של יצרן:
TPH3206LDGB
Product Overview
יצרן:
Transphorm
DiGi Electronics מספר חלק:
TPH3206LDGB-DG
תיאור:
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
מלאי:
13446770
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TPH3206LDGB מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Transphorm
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
GaNFET (Gallium Nitride)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
180mOhm @ 11A, 8V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.6V @ 500µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.3 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±18V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
760 pF @ 480 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
81W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
3-PQFN (8x8)
חבילה / מארז
3-PowerDFN
מידע נוסף
שמות אחרים
TPH3206LDG
TPH3206LDG-ND
חבילה סטנדרטית
60
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TP65H150G4LSG
יצרן
Transphorm
כמות זמינה
2939
DiGi מספר חלק
TP65H150G4LSG-DG
מחיר ליחידה
2.18
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFA22N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
250
DiGi מספר חלק
IXFA22N65X2-DG
מחיר ליחידה
2.56
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPH3212PS
GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
TPH3208LD
GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
TPH3206PD
GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
