מספר מוצר של יצרן:
TP65H035WS
Product Overview
יצרן:
Transphorm
DiGi Electronics מספר חלק:
TP65H035WS-DG
תיאור:
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
863 יחידות חדשות מק originales במלאי
13446889
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TP65H035WS מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Transphorm
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
46.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.8V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
36 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1500 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
156W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
TP65H035
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPH3208PS
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
TP65H050WS
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
RH6P030BG
TRANS MOSFET N-CH SMD
