בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
צרפת
ספרד
טורקיה
מולדובה
ליטא
נורווגיה
גרמניה
פורטוגל
סלובקיה
לטלי
פינלנד
רוסית
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
סרביה ומונטנגרו
בלרוס
הולנד
שוודיה
מונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
רומניה
אוסטריה
בלגיה
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
קונגו - קינשאסה
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
אנגולה
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ארגנטינה
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
TPH9R506PL,LQ
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TPH9R506PL,LQ-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 34A (Tc) 830mW (Ta), 81W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
מלאי:
31819 יחידות חדשות מק originales במלאי
12920873
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TPH9R506PL,LQ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSIX-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
34A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 200µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
21 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1910 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
830mW (Ta), 81W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOP Advance (5x5)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
TPH9R506
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
TPH9R506PL,LQ
גיליון נתונים של HTML
TPH9R506PL,LQ-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
264-TPH9R506PLLQTR
264-TPH9R506PLLQCT
TPH9R506PL,LQ(S
264-TPH9R506PLLQDKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK28N65W5,S1F
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK1K7A60F,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK5R3A06PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK22A65X,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR