TK28N65W5,S1F

מספר מוצר של יצרן:

TK28N65W5,S1F

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

TK28N65W5,S1F-DG

תיאור:

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

תיאור מפורט:

N-Channel 650 V 27.6A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247

מלאי:

30 יחידות חדשות מק originales במלאי

12920874

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

TK28N65W5,S1F מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

אריזות

Tube

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

650 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

27.6A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

130mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4.5V @ 1.6mA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

90 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±30V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

3000 pF @ 300 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

230W (Tc)

טמפרטורת פעולה

150°C

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-247

חבילה / מארז

TO-247-3

מספר מוצר בסיסי

TK28N65

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

TK28N65W5,S1F-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

264-TK28N65W5S1F

TK28N65W5,S1F(S

חבילה סטנדרטית

30

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

toshiba-semiconductor-and-storage

TK1K7A60F,S4X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

toshiba-semiconductor-and-storage

TK5R3A06PL,S4X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

toshiba-semiconductor-and-storage

TK22A65X,S5X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

toshiba-semiconductor-and-storage

TK3R2E06PL,S1X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR