TPH7R506NH,L1Q

מספר מוצר של יצרן:

TPH7R506NH,L1Q

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

TPH7R506NH,L1Q-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP

תיאור מפורט:

N-Channel 60 V 22A (Ta) 1.6W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

מלאי:

26395 יחידות חדשות מק originales במלאי

12890495

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

TPH7R506NH,L1Q מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

U-MOSVIII-H

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

22A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

7.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 300µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

31 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2320 pF @ 30 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.6W (Ta), 45W (Tc)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-SOP Advance (5x5)

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

מספר מוצר בסיסי

TPH7R506

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

TPH7R506NH,L1Q(M

TPH7R506NHL1QDKR

TPH7R506NHL1QTR

TPH7R506NHL1QCT

TPH7R506NHL1Q

חבילה סטנדרטית

5,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

RoHS Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6H19NU,LF

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH7R006PL,L1Q

MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH4R008NH,L1Q

MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TK35N65W5,S1F

MOSFET N-CH 650V 35A TO247