TPH4R008NH,L1Q

מספר מוצר של יצרן:

TPH4R008NH,L1Q

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

TPH4R008NH,L1Q-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP

תיאור מפורט:

N-Channel 80 V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

מלאי:

12476 יחידות חדשות מק originales במלאי

12890500

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

TPH4R008NH,L1Q מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

U-MOSVIII-H

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

80 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

60A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 1mA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

59 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

5300 pF @ 40 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.6W (Ta), 78W (Tc)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-SOP Advance (5x5)

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

מספר מוצר בסיסי

TPH4R008

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

TPH4R008NHL1QDKR

TPH4R008NHL1QTR

TPH4R008NHL1QCT

TPH4R008NH,L1Q(M

חבילה סטנדרטית

5,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

RoHS Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

toshiba-semiconductor-and-storage

TK35N65W5,S1F

MOSFET N-CH 650V 35A TO247

toshiba-semiconductor-and-storage

TPC8031-H(TE12LQM)

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP

diodes

DMN3009LFVW-13

MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

toshiba-semiconductor-and-storage

TK20S04K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 40V 20A DPAK