מספר מוצר של יצרן:
TPH1R712MD,L1Q
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TPH1R712MD,L1Q-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 60A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
מלאי:
12171 יחידות חדשות מק originales במלאי
12891359
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TPH1R712MD,L1Q מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVI
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
60A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.2V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
182 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
10900 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
78W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOP Advance (5x5)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
TPH1R712
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TPH1R712MD,L1Q(M
TPH1R712MDL1QDKR
TPH1R712MDL1QTR
TPH1R712MDL1QCT
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK5A65DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS
TPHR9003NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
DMN1004UFV-7
MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333