TPH5200FNH,L1Q

מספר מוצר של יצרן:

TPH5200FNH,L1Q

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

TPH5200FNH,L1Q-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP

תיאור מפורט:

N-Channel 250 V 26A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

מלאי:

20159 יחידות חדשות מק originales במלאי

12891368

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

TPH5200FNH,L1Q מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

U-MOSVIII-H

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

250 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

26A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

52mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 1mA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

22 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2200 pF @ 100 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

78W (Tc)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-SOP Advance (5x5)

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

מספר מוצר בסיסי

TPH5200

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

TPH5200FNHL1QDKR

TPH5200FNHL1QCT

TPH5200FNH,L1Q(M

TPH5200FNHL1QTR

חבילה סטנדרטית

5,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ15P04M3,RQ(S

MOSFET P-CH 40V 15A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TK39A60W,S4VX

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS

diodes

DMN67D8LT-7

MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R

toshiba-semiconductor-and-storage

TPC8110(TE12L,Q,M)

MOSFET P-CH 40V 8A 8SOP