מספר מוצר של יצרן:
TK9A65W,S5X
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK9A65W,S5X-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 9.3A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
מלאי:
12890653
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK9A65W,S5X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
DTMOSIV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9.3A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
500mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 350µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
700 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220SIS
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
TK9A65
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK9A65WS5X
TK9A65W,S5X(M
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STF10NM60N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
553
DiGi מספר חלק
STF10NM60N-DG
מחיר ליחידה
1.34
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPA60R600P7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1
DiGi מספר חלק
IPA60R600P7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
0.56
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STF11N60DM2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
2966
DiGi מספר חלק
STF11N60DM2-DG
מחיר ליחידה
0.70
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STFU13N65M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
968
DiGi מספר חלק
STFU13N65M2-DG
מחיר ליחידה
0.73
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SJ610(TE16L1,NQ)
MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
TK10Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK