מספר מוצר של יצרן:
2SJ610(TE16L1,NQ)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
2SJ610(TE16L1,NQ)-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
תיאור מפורט:
P-Channel 250 V 2A (Ta) 20W (Ta) Surface Mount PW-MOLD
מלאי:
12890656
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SJ610(TE16L1,NQ) מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.55Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
24 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
381 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
20W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PW-MOLD
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
2SJ610
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
TK10Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
TK8Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 8A IPAK
