מספר מוצר של יצרן:
TK7J90E,S1E
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK7J90E,S1E-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 7A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
מלאי:
25 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890324
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK7J90E,S1E מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
π-MOSVIII
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 700µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
32 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1350 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
200W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P(N)
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
TK7J90
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK7J90E,S1E(S
TK7J90ES1E
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPCA8065-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
DMN3016LFDE-7
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
TK12A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
