מספר מוצר של יצרן:
TK58A06N1,S4X
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK58A06N1,S4X-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
מלאי:
4 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890337
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK58A06N1,S4X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
U-MOSVIII-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
58A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.4mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 500µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
46 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3400 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
35W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220SIS
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
TK58A06
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK58A06N1S4X
TK58A06N1,S4X-DG
TK58A06N1,S4X(S
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK3A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
TPCA8005-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
TK12P60W,RVQ(S
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK