מספר מוצר של יצרן:
TK7A80W,S4X
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK7A80W,S4X-DG
תיאור:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 6.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
מלאי:
50 יחידות חדשות מק originales במלאי
12988686
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK7A80W,S4X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
DTMOSIV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
950mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 280µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
700 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
35W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220SIS
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
264-TK7A80W,S4X
264-TK7A80WS4X
264-TK7A80W,S4X-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
S2M0025120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
TK8A25DA,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
BSS138WT106
NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI