מספר מוצר של יצרן:
BSS138WT106
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
BSS138WT106-DG
תיאור:
NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 310mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
מלאי:
1958 יחידות חדשות מק originales במלאי
12988693
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSS138WT106 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
310mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.4Ohm @ 310mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.3V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
15 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
200mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
UMT3
חבילה / מארז
SC-70, SOT-323
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
846-BSS138WT106CT
846-BSS138WT106TR
846-BSS138WT106DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK5A60W5,S5VX
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
TPH4R008QM,LQ
POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
IPB65R125CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEW
