בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
קונגו - קינשאסה
ארגנטינה
טורקיה
רומניה
ליטא
נורווגיה
אוסטריה
אנגולה
סלובקיה
לטלי
פינלנד
בלרוס
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
מונטנגרו
רוסית
בלגיה
שוודיה
סרביה ומונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
מולדובה
גרמניה
הולנד
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
צרפת
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
פורטוגל
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ספרד
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
TK7A45DA(STA4,Q,M)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK7A45DA(STA4,Q,M)-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 450V 6.5A TO220SIS
תיאור מפורט:
N-Channel 450 V 6.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
מלאי:
בקשת מחיר מקוונת
12891397
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK7A45DA(STA4,Q,M) מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
π-MOSVII
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
450 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
540 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
35W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220SIS
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
TK7A45
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
TK7A45DA
מידע נוסף
שמות אחרים
TK7A45DA(STA4QM)
TK7A45DASTA4QM
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFI830GPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
795
DiGi מספר חלק
IRFI830GPBF-DG
מחיר ליחידה
0.67
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SJ438,Q(J
MOSFET P-CH TO220NIS
SSM6K217FE,LF
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
TPH1R005PL,L1Q
MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
TK65G10N1,RQ
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK