מספר מוצר של יצרן:
TK65G10N1,RQ
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK65G10N1,RQ-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Surface Mount D2PAK
מלאי:
12891404
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK65G10N1,RQ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
U-MOSVIII-H
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
65A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.5mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
81 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5400 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
156W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D2PAK
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
TK65G10
מידע נוסף
שמות אחרים
TK65G10N1,RQ(S
TK65G10N1RQCT
TK65G10N1RQTR
TK65G10N1RQDKR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDB047N10
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
FDB047N10-DG
מחיר ליחידה
1.79
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STH150N10F7-2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1000
DiGi מספר חלק
STH150N10F7-2-DG
מחיר ליחידה
1.62
סוג משאב
Similar
מספר חלק
TPH3R70APL,L1Q
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
8626
DiGi מספר חלק
TPH3R70APL,L1Q-DG
מחיר ליחידה
0.63
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK650A60F,S4X
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
TK13A55DA(STA4,QM)
MOSFET N-CH 550V 12.5A TO220SIS
TK16A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS