מספר מוצר של יצרן:
TK72E12N1,S1X
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK72E12N1,S1X-DG
תיאור:
MOSFET N CH 120V 72A TO-220
תיאור מפורט:
N-Channel 120 V 72A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
22 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890935
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK72E12N1,S1X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
U-MOSVIII-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
120 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
72A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.4mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
130 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
8100 pF @ 60 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
255W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
TK72E12
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK72E12N1S1X
TK72E12N1,S1X(S
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPCC8093,L1Q
MOSFET N-CH 20V 21A 8TSON
TK9A90E,S4X
MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS
TPH1400ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
