מספר מוצר של יצרן:
TK62N60X,S1F
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK62N60X,S1F-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
מלאי:
102 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890941
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK62N60X,S1F מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
DTMOSIV-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
61.8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
40mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 3.1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
135 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6500 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
400W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
TK62N60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK62N60XS1F
TK62N60X,S1F(S
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK56A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS
TK5P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
TPH1110FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
