מספר מוצר של יצרן:
TK6Q65W,S1Q
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK6Q65W,S1Q-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 5.8A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-Pak
מלאי:
75 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890349
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK6Q65W,S1Q מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
DTMOSIV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 180µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
390 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
60W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I-PAK
חבילה / מארז
TO-251-3 Stub Leads, IPak
מספר מוצר בסיסי
TK6Q65
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK6Q65W,S1Q(S
TK6Q65WS1Q
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPH2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
TPH11003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
TPW1R005PL,L1Q
MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
