מספר מוצר של יצרן:
TPH2010FNH,L1Q
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TPH2010FNH,L1Q-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 5.6A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
מלאי:
8954 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890350
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TPH2010FNH,L1Q מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVIII-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.6A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
198mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 200µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
600 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.6W (Ta), 42W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOP Advance (5x5)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
TPH2010
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TPH2010FNH,L1Q(M
TPH2010FNHL1QTR
TPH2010FNHL1QCT
TPH2010FNHL1QDKR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPH11003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
TPW1R005PL,L1Q
MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
TPCA8105(TE12L,Q,M
MOSFET P-CH 12V 6A 8SOP
