TK3R3A06PL,S4X

מספר מוצר של יצרן:

TK3R3A06PL,S4X

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

TK3R3A06PL,S4X-DG

תיאור:

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

תיאור מפורט:

N-Channel 60 V 80A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220SIS

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12920896

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

TK3R3A06PL,S4X מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

אריזות

Tube

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

80A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

3.3mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 700µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

71 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

5000 pF @ 30 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

42W (Tc)

טמפרטורת פעולה

175°C

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-220SIS

חבילה / מארז

TO-220-3 Full Pack

מספר מוצר בסיסי

TK3R3A06

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

TK3R3A06PL,S4X-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

TK3R3A06PL,S4X(S

264-TK3R3A06PLS4X

חבילה סטנדרטית

50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

toshiba-semiconductor-and-storage

TK16J60W5,S1VQ

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

toshiba-semiconductor-and-storage

TK17A65W5,S5X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH1500CNH,L1Q

MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TK1K0A60F,S4X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR